出典: Tech On! (会員登録) - nMOSには多結晶Siゲートを使う。ゲート部のFUSIは,ソース・ドレインのNiSiと同時にシリサイド化する。熱拡散が起こりやすいソース・ドレイン部に対し,ゲート部は熱絶縁性の高い側壁があるためにアニール時に高温となり,溶融が起きる。この結果,NiSi2相のFUSIを形成できる。ここで,FLAは本来の低拡散アニールの役割も果たしている。両社とも,今回はゲート絶縁膜に高誘電率(high-k)膜ではな >>>続きを読む
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